词语名称:金属氧化物半导体集成电路
词语读音:金(jīn)属(shǔ zhǔ)氧(yǎng)化(huà huā)物(wù)半(bàn)导(dǎo)体(tǐ tī)集(jí)成(chéng)电(diàn)路(lù)
词典解释:
简称“mos集成电路”。由金属、氧化物和半导体场效应管组成的集成电路。工艺简单、输入阻抗高、集成度高、功耗低,但工作频率低。主要用于数字电路。分p沟道mos集成电路和n沟道mos集成电路两种。将两者互补构成互补型集成电路(cmos)。应用广泛。
词语读音:金(jīn)属(shǔ zhǔ)氧(yǎng)化(huà huā)物(wù)半(bàn)导(dǎo)体(tǐ tī)集(jí)成(chéng)电(diàn)路(lù)
词典解释:
简称“mos集成电路”。由金属、氧化物和半导体场效应管组成的集成电路。工艺简单、输入阻抗高、集成度高、功耗低,但工作频率低。主要用于数字电路。分p沟道mos集成电路和n沟道mos集成电路两种。将两者互补构成互补型集成电路(cmos)。应用广泛。
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